浅沟道隔离(STI)处理之双衬垫氧化物制程

摘要

一种浅沟道隔离处理之双衬垫氧化物之制程，包含在一矽基底上沉积形成氧化矽层和氮化矽层，而后蚀刻以形成一浅沟道；沉积第一衬垫氧化物在该浅沟道表面；以H3PO4蚀回氮化物层；以湿蚀刻移除第一衬垫氧化物；和再沉积第二衬垫氧化物在该浅沟道表面。