| 摘要 |
<P>L'invention concerne une diode de puissance verticale, de redressement et de protection, formée dans une couche semiconductrice (32) faiblement dopée d'un premier type de conductivité, reposant sur un substrat (31) fortement dopé du premier type de conductivité, comprenant une première région annulaire (35), du premier type de conductivité plus fortement dopée que ladite couche et plus faiblement que ledit substrat, entourant une zone (A) de ladite couche et s'étendant jusqu'au substrat ; et une deuxième région annulaire (39), dopée du second type de conductivité (P), s'étendant à la surface de la première région et de part et d'autre de celle-ci ; une première électrode comportant une couche mince (44) d'un matériau propre à former une jonction Schottky avec ladite couche, reposant sur ladite zone de ladite couche et sur au moins une portion de la deuxième région annulaire avec laquelle elle forme un contact ohmique.</P>
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