| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterschaltungselement (1) zur Reduzierung von unerwünschten Aufladeeffekten, insbesondere Anschlusselement von Teststrukturen für Halbleiterschaltungen, wobei die Oberfläche (4) des Halbleiterschaltungselements (1) elektrisch von der Rest-Oberfläche (5) des Halbleiterschaltungselements (1) isolierte Leitbahnstrukturen (3) aufweist, und bei dem ausschließlich die Leitbahnstrukturen (3) an nachgeordnete Halbleiterschaltungselemente (8) angeschlossen sind.
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