发明名称 METHOD FOR MAKING TAPERED OPENING FOR PROGRAMMABLE RESISTANCE MEMORY ELEMENT
摘要 A method for making a tapered opening. The defined tapered opening is useful for the fabrication of programmable resistance memory elements. The programmable resistance memory material may be a chalcogenide.
申请公布号 WO2004086459(A3) 申请公布日期 2005.01.13
申请号 WO2004US08633 申请日期 2004.03.22
申请人 OVONYX, INC. 发明人 MAIMON, JON;RODGERS, JOHN
分类号 H01L;H01L21/00;H01L45/00 主分类号 H01L
代理机构 代理人
主权项
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