一种具有低电阻稳定硅化镍的半导体器件及其制造方法

摘要

一种集成电路器件及其制造方法，包括制有钴中间层在(100)Si上的外延硅化镍或在非晶Si上的稳态的硅化镍。在一个实施例中，该方法包括在先于硅化反应前在Ni和Si层之间淀积钴(Co)中间层。钴中间层通过镍和硅与钴中间层的反应形成的钴/镍/硅合金层控制Ni原子流量，以致Ni原子以相同的速度到达Si界面，即没有任何的优选晶向，以至形成均匀的硅化镍层。可以退火硅化镍形成均匀的晶体二硅化镍。因此，获得在(100)Si或非晶Si上的单晶硅化镍，其中硅化镍具有提高了的稳定性并可以被用在超浅结的器件中。

主权项

1.一种在硅衬底上制造硅化镍的方法，包括步骤：提供硅衬底；在所说硅衬底上淀积钴；在所说硅衬底上淀积镍，其特征在于所说镍与所说钴接触；其特征在于，在所说硅衬底上淀积钴的所说步骤包括直接在所说硅衬底上淀积钴薄膜，在所说硅衬底上淀积镍的所说步骤包括在所说钴薄膜上淀积镍薄膜，以及退火所说钴和所说镍以在所说硅衬底上形成硅化镍。