先驱体浸渍裂解制备BN／SiO<SUB>2</SUB>复合陶瓷的方法

摘要

先驱体浸渍裂解制备BN/SiO₂复合陶瓷的方法，它涉及一种陶瓷材料的制备方法。现有的热压烧结方法存在组织呈现定向排列、性能表现为各向异性等缺点。本发明方法包括：a.以B和BN粉末为原料加工成型；b.在一个氮气大气压的气氛中烧结，烧结温度为1500℃～1600℃，保温时间4～5小时，得到多孔氮化硼陶瓷；c.浸渍聚碳硅烷溶液，在抽真空的条件下室温浸渍32～40小时；d.800℃氧化裂解；e.再在1300℃、一个大气压的氮气保护条件下烧结2小时，即得BN/SiO₂复合材料。用本发明的方法制备的BN/SiO₂复合材料组织均匀弥散分布无定向排列，综合性能良好；由于是反应烧结整个过程没有施压，提高了成品率，烧结温度比热压烧结降低300℃～500℃，降低了成本。

主权项

1、一种先驱体浸渍裂解制备BN/SiO2复合陶瓷的方法，其特征在于它的操作步骤为：a.以粒径为3～5μm的B和BN粉末为原料，按质量比计，B和BN的质量比为(5～20)∶(80～95)，按常规工艺混料、造粒、成型；b.然后将密度为1.4～1.6g/cm3的压坯置于烧结炉中，在一个大气压的氮气气氛中烧结，烧结温度为1500～1600℃，保温时间4～5小时，得到多孔的氮化硼陶瓷；c.将多孔的氮化硼陶瓷浸渍先驱体聚碳硅烷溶液，在抽真空条件下室温浸渍32～40小时，干燥后得预制块；d.将密度不超过1.75g/cm3的预制块于800℃条件下在空气炉中氧化裂解，保温时间3～4小时；e.然后在1300℃、一个大气压的氮气保护条件下于真空烧结炉中烧结2小时，即得BN/SiO2复合材料。