| 发明名称 | 掺铈铝酸钇晶体的生长方法 | ||
| 摘要 | 一种掺铈铝酸钇晶体的生长方法，其特征是在原料配方中同时掺有CeO<SUB>2</SUB>和Lu<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>，并由下列反应方程式确定：Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>＋(1－x－y)Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>＋2xCeO<SUB>2</SUB>＋yLu<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>＝2Y<SUB>1－x－y</SUB>Ce<SUB>x</SUB>Lu<SUB>y</SUB>AlO<SUB>3</SUB>+x/2O<SUB>2</SUB>其中0.1％≤x≤2.0％，x≤y≤3x，在中频感应加热单晶炉中采用提拉法生长。其结果表明：晶体的位错密度降低，其位错密度为10<SUP>2</SUP>－10<SUP>4</SUP>/cm<SUP>2</SUP>，闪烁光输出性能提高5％－10％。 | ||
| 申请公布号 | CN1563515A | 申请公布日期 | 2005.01.12 |
| 申请号 | CN200410017313.4 | 申请日期 | 2004.03.30 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 夏长泰;徐军;曾雄辉;赵广军;张连翰;何晓明;庞辉勇;介明印;李抒智 |
| 分类号 | C30B29/24;C30B15/04 | 主分类号 | C30B29/24 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种掺铈铝酸钇晶体的生长方法，其特征是在原料配方中同时掺有CeO2和Lu2O3，并由下列反应方程式确定：其中0.1％≤x≤2.0％，x≤y≤3x | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||