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发明名称 Power MOSFET having a trench gate electrode and method of making the same
摘要
申请公布号 EP1248300(A3) 申请公布日期 2005.01.12
申请号 EP20020006955 申请日期 2002.03.26
申请人 SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY, LIMITED 发明人 TAKEMORI, TOSHIYUKI;ITOI, MASATO;WATANABE, YUJI
分类号 H01L29/41;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/331 主分类号 H01L29/41
代理机构 代理人
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