发明名称 | 一种共振隧穿型磁隧道结元件 | ||
摘要 | 本发明公开了一种共振隧穿型磁隧道结元件,该磁隧道结材料包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一引导层、一由铁磁/非磁/铁磁三层金属膜形成的振荡铁磁层作为自由层、一绝缘势垒层、一钉扎铁磁层、一反铁磁层、一保护层;由于本发明采用一薄铁磁层将非磁金属层与绝缘势垒层隔开,实现了采用磁控溅射法制备共振隧穿型磁隧道结,其工艺简单,有利于大规模产业化推广;此外,本发明制备的磁隧道结元件,通过调节由铁磁/非磁/铁磁三层金属膜形成的振荡铁磁层中非磁金属层的厚度,实现了TMR值的振荡变化。 | ||
申请公布号 | CN1564247A | 申请公布日期 | 2005.01.12 |
申请号 | CN200410033657.4 | 申请日期 | 2004.04.15 |
申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 朱涛;詹文山 |
分类号 | G11B5/64 | 主分类号 | G11B5/64 |
代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 尹振启 |
主权项 | 1、一种共振隧穿型磁隧道结元件,包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一反铁磁层、一钉扎铁磁电极层、一绝缘层、及一保护层,其特征在于,还包括:一引导层,设于所述缓冲层上,该引导层具有(111)织构;及一由铁磁/非磁/铁磁三层金属膜形成的振荡铁磁层作为自由层设置于所述绝缘层之上或之下。 | ||
地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 |