发明名称 | 一种氧化物巨磁电阻薄膜的制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种的氧化物巨磁电阻薄膜的制备方法。其特征在于采用摩尔浓度为0.1摩尔/升至0.5摩尔/升的金属有机物溶液、按摩尔体积比例配制成均匀的目标溶液后,用旋转甩胶制备湿膜。再经100-650℃前烘和700-1000℃烧结后,制备成钙钛矿结构的氧化物巨磁电阻薄膜。所制成的巨磁电阻薄膜的结构为A<SUB>x</SUB>B<SUB>1-x</SUB>CO<SUB>y</SUB>,其中0<x<1,1<y≤10。本方法具有工艺简单,重复性好,大面积均匀,成本低,衬底价格低廉和设备要求不高等特点。该巨磁电阻薄膜具有输出信号大,室温下电阻率随外磁场呈线性变化等特性,适合于制备磁敏器件和自旋极化三极管等。 | ||
申请公布号 | CN1184702C | 申请公布日期 | 2005.01.12 |
申请号 | CN98122068.1 | 申请日期 | 1998.12.04 |
申请人 | 中国科学院上海冶金研究所 | 发明人 | 沈鸿烈;塚本孝一;祝向荣;柳泽武;邹世昌 |
分类号 | H01L43/08;H01L43/12 | 主分类号 | H01L43/08 |
代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 邬震中;高毓秋 |
主权项 | 1.氧化物巨磁电阻薄膜的制备方法,包括衬底选择,衬底有机化学溶剂清洗和去离子水清洗,目标溶液的配制、旋转甩胶、湿膜的前烘干和烧结,其特征在于:(1)所制备的巨磁电阻薄膜的结构式为AxB1-xCOy,其中0<X<1,0<Y≤10,A为IIIB族三价元素或镧系稀元素或两种三价元素的百分组合,B为三价元素或两种二价元素的百分组合;C为呈三价或/和四价的元素或两种呈三价或/和四价态的元素的百分组合;(2)采用的衬底材料是抛光石英玻璃、抛光Si片或Al2O3陶瓷片;起始溶液为二价元素、三价元素、呈三价或/和四价元素的金属有机物分解溶液,按上述(1)中结构式配料,它们的摩尔浓度均在0.1-0.5摩尔/升之间,在净化工作台中按摩尔体积比例配制成所需的目标溶液后,用旋转甩胶法制备湿膜,湿膜前烘温度在100-650℃之间,烘干后700-1000℃烧结而成。 | ||
地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 |