发明名称 | 一种片上LC无源低通滤波器及其制备方法 | ||
摘要 | 一种基于氧化多孔硅/多孔硅的片上LC无源低通滤波器及其制备方法,该滤波器含片上微电感、片上MIM电容、片上共面波导传输线和复合衬底,复合衬底由氧化多孔硅薄膜、多孔硅层和低阻硅片组成,多孔硅层夹在氧化多孔硅薄膜和低阻硅片之间,由片上微电感、片上MIM电容和片上共面波导传输线组成的片上LC无源低通滤波电路依附在氧化多孔硅薄膜上,用与CMOS工艺兼容的工艺制作而成,有体积小,易于制造,生产成本低,能与现今的CMOS工艺相兼容,在通带内衬底插入损耗小的优点。 | ||
申请公布号 | CN1564372A | 申请公布日期 | 2005.01.12 |
申请号 | CN200410017235.8 | 申请日期 | 2004.03.26 |
申请人 | 华东师范大学 | 发明人 | 石艳玲;刘赟;王勇;丁艳芳 |
分类号 | H01P1/20;H01P11/00 | 主分类号 | H01P1/20 |
代理机构 | 上海德昭专利事务所 | 代理人 | 程宗德;石昭 |
主权项 | 1、一种基于氧化多孔硅/多孔硅的片上LC无源低通滤波器,含片上微电感(7)、片上MIM电容(8)、片上共面波导传输线(12),其特征在于,它还含复合衬底(11),复合衬底(11)是由氧化多孔硅薄膜(4)、多孔硅层(5)和低阻硅片(6)组成,多孔硅层(5)夹在氧化多孔硅薄膜(4)和低阻硅片(6)之间,由片上微电感(7)、片上MIM电容(8)和片上共面波导传输线(12)组成的片上LC无源低通滤波电路依附在氧化多孔硅薄膜(4)上。 | ||
地址 | 200062上海市中山北路3663号 |