溅射法在硅基片上制备高巨磁电阻效应纳米多层膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高巨磁电阻效应纳米多层膜及其制备该膜的方法，它是在(111)取向硅单晶基片表面上依次溅射沉积钽1～4nm、镍铁1～4nm、铜1～3nm、钴1～4nm材料层。该高巨磁电阻效应纳米多层膜结构简单且巨磁电阻值高达100％。本发明纳米多层膜的制备方法是采用磁控溅射技术进行溅射沉积，硅基片安装在基片转台上，靶材安装在各自的靶台上，根据所需溅射沉积各层材料的厚度调节其电流、电压进行制备，本方法步骤简单，操作方便，厚度可控。

主权项

1、一种高巨磁电阻效应纳米多层膜，它是在硅单晶表面上溅射高巨磁电阻效应多层膜材料，其特征在于：所述的纳米多层膜中各层材料为钽、镍铁、铜和钴，所述的硅单晶具有(111)取向，且掺杂。