| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体器件的制造方法，用于实现适合于提高其操作速度并且质量和可靠性都高的半导体器件。半导体器件的制造方法为包括具有防止铜扩散功能并形成在含铜的金属布线上的阻挡膜(7)的半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：使用含添加的催化剂金属(10)的电镀液进行电镀由此形成含催化剂金属(10)的金属布线(2)；以及使用在金属布线(2)的表面上暴露的催化剂金属(10)作为催化剂进行无电镀，由此在金属布线(2)上形成具有防止铜扩散功能的阻挡膜(7)。 | ||
| 申请公布号 | CN1565047A | 申请公布日期 | 2005.01.12 |
| 申请号 | CN03801169.7 | 申请日期 | 2003.06.20 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 濑川雄司;野上毅;堀越浩;驹井尚纪 |
| 分类号 | H01L21/228;H01L21/768;C25D7/12;C23C18/16;C23C18/18 | 主分类号 | H01L21/228 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，半导体器件包括具有防止铜扩散功能并形成在含铜金属布线上的阻挡膜，所述方法包括以下步骤：使用含添加的催化剂金属的电镀液进行电镀由此形成含所述催化剂金属的所述金属布线；以及使用在所述金属布线的表面上暴露的所述催化剂作为催化剂进行无电镀，由此在所述金属布线上形成具有所述防止铜扩散功能的所述阻挡膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||