氟硅玻璃层表面处理的方法

摘要

本发明提供一种氟硅玻璃(FSG)层表面处理的方法，该方法包括有下列步骤：首先在一半导体芯片上沉积一氟硅玻璃层，接着现场(in-situ)移除该氟硅玻璃层的上表层的部分氟离子，以形成一预定厚度的硅氧层。然后在该硅氧层上涂覆一光致抗蚀剂层，经过一曝光制作工艺于该光致抗蚀剂层中形成一预定潜在(latent)图案，最后经过一显影制作工艺，以去除该预定潜在图案的该光致抗蚀剂层，暴露出相对于该预定潜在图案下方的该硅氧层。本发明方法可以解决氟硅玻璃中的氟离子扩散至氟硅玻璃的表面，形成氢氟酸而造成毒害光致抗蚀剂、腐蚀金属或可靠度问题。

主权项

1.一种氟硅玻璃层表面处理的方法，该方法包括有下列步骤：在一半导体芯片上沉积一氟硅玻璃层；现场氧化该氟硅玻璃层的一上表面，以形成一厚度大于100埃的硅氧层；在该硅氧层上涂覆一光致抗蚀剂层；曝光该光致抗蚀剂层，以于该光致抗蚀剂层中形成一预定潜在图案；以及显影该光致抗蚀剂层，以去除该预定潜在图案的该光致抗蚀剂层，暴露出相对于该预定潜在图案下方的该硅氧层。