发明名称 具有低写入电流的磁性随机存取内存
摘要 本发明涉及一种具有低写入电流的磁性随机存取内存,是以磁性接面组件为存储核心的磁性隧道结,在磁性接面组件单元的两侧放置能流通电流的金属柱,所组成的磁性随机存取内存的改良型结构。利用磁性接面组件附近或缠绕的金属柱感应所增加的总磁场,使磁性接面组件单元处的磁场强度有明显增强,以达到本发明具有低写入电流的磁性随机存取内在的目的与功效,进而使磁性随机存取内存功率消耗降低。
申请公布号 CN1184643C 申请公布日期 2005.01.12
申请号 CN02127098.8 申请日期 2002.07.29
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 洪建中;高明哲
分类号 G11C11/15 主分类号 G11C11/15
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 陈红;楼仙英
主权项 1.一种具有低写入电流的磁性随机存取内存,是由多个磁性存储单元组合而成,其特征在于,所述磁性存储单元包括:一写入线,提供所述磁性存储单元写入电流信道,包括一上层写入线与一下层写入线;一字节线,提供所述磁性存储单元读出及写入电流信道,与所述写入线垂直;一磁性隧道结,位于所述上层写入线与下层写入线之间,是所述磁性随机存取内存中的磁性材料,可通过改变磁化方向以更改所述磁性隧道结数据状态;一中间金属柱,连接所述磁性隧道结与所述字节线;多个侧边金属柱,连接所述上层写入线与所述下层写入线,可利用通过电流增加所述磁性隧道结所感应的磁场;所述磁性存储单元利用与其相连的一电流控制组件读出信号;其中,一写入电流由所述上层写入线输入,通过一所述侧边金属柱,进入所述下层写入线,再通过另一所述侧边金属柱到达所述上层写入线,环绕所述磁性隧道结;所述磁性存储单元的上层写入线与另一所述磁性存储单元的上层写入线相连接,并且所述字节线与另一侧方向的一所述磁性存储单元的字节线相连,由多个磁性存储单元组合形成所述磁性随机存取内存。
地址 台湾省新竹县