发明名称 | 亚微米和纳米球形二氧化硅的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种制备亚微米和纳米球形二氧化硅的方法,将含二氧化硅1~20wt%的硅酸钾、硅酸钠或碱性硅溶胶和1~20wt%的硫酸分别按1~300L/min流量连续导入反应容器,搅拌让物料保持紊流循环1~100min,静置陈化后分离;用25~100℃的去离子水洗涤产物至pH 5~7,烘干,即得粒度5μm~10nm亚微米和纳米球形二氧化硅。本发明的制备方法工艺过程简单,能耗低;产品比表面积可以通过加热温度调控,产品的纯度高,流动性好,易分散,粒度在5μm~10nm间调控,适合于超大规模集成电路的封装料制备,也可以用于机械、电子、日用化工、生物医药等领域。 | ||
申请公布号 | CN1562742A | 申请公布日期 | 2005.01.12 |
申请号 | CN200410012854.8 | 申请日期 | 2004.03.18 |
申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 袁良杰;李明;孙聚堂 |
分类号 | C01B33/113 | 主分类号 | C01B33/113 |
代理机构 | 武汉天力专利事务所 | 代理人 | 程祥;冯卫平 |
主权项 | 1.一种制备亚微米和纳米球形二氧化硅的方法,其特征在于:将含二氧化硅1~20wt%的硅酸钾、硅酸钠或碱性硅溶胶和1~20wt%的硫酸分别按1~300L/min流量连续导入反应容器,搅拌让物料保持紊流循环1~100min,静置陈化后分离;用25~100℃的去离子水洗涤产物至pH 5~7,烘干,即得粒度5μm~10nm亚微米和纳米球形二氧化硅。 | ||
地址 | 430072湖北省武汉市武昌珞珈山 |