发明名称 亚微米和纳米球形二氧化硅的制备方法
摘要 本发明公开了一种制备亚微米和纳米球形二氧化硅的方法,将含二氧化硅1~20wt%的硅酸钾、硅酸钠或碱性硅溶胶和1~20wt%的硫酸分别按1~300L/min流量连续导入反应容器,搅拌让物料保持紊流循环1~100min,静置陈化后分离;用25~100℃的去离子水洗涤产物至pH 5~7,烘干,即得粒度5μm~10nm亚微米和纳米球形二氧化硅。本发明的制备方法工艺过程简单,能耗低;产品比表面积可以通过加热温度调控,产品的纯度高,流动性好,易分散,粒度在5μm~10nm间调控,适合于超大规模集成电路的封装料制备,也可以用于机械、电子、日用化工、生物医药等领域。
申请公布号 CN1562742A 申请公布日期 2005.01.12
申请号 CN200410012854.8 申请日期 2004.03.18
申请人 武汉大学 发明人 袁良杰;李明;孙聚堂
分类号 C01B33/113 主分类号 C01B33/113
代理机构 武汉天力专利事务所 代理人 程祥;冯卫平
主权项 1.一种制备亚微米和纳米球形二氧化硅的方法,其特征在于:将含二氧化硅1~20wt%的硅酸钾、硅酸钠或碱性硅溶胶和1~20wt%的硫酸分别按1~300L/min流量连续导入反应容器,搅拌让物料保持紊流循环1~100min,静置陈化后分离;用25~100℃的去离子水洗涤产物至pH 5~7,烘干,即得粒度5μm~10nm亚微米和纳米球形二氧化硅。
地址 430072湖北省武汉市武昌珞珈山