发明名称 | 生产硅的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种生产Si的方法,其特征在于它包括将碱金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐或氟化物、或者碱土金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐或氟化物、或者两种或更多种前述化合物加入固体SiO中,其中这些化合物的总摩尔量为固体SiO摩尔量的1/20至1000倍,将混合物在Si的熔点至2000℃之间加热以进行形成Si的反应,以及将Si与反应副产物分离并回收。该方法可以用于以较低成本和良好的效率由各种形式的SiO生产Si,所述SiO是在Si生产方法等中形成且传统上没有工业价值。 | ||
申请公布号 | CN1564783A | 申请公布日期 | 2005.01.12 |
申请号 | CN03801130.1 | 申请日期 | 2003.07.22 |
申请人 | 新日本制铁株式会社 | 发明人 | 近藤次郎;冈岛正树;德丸慎司;堂野前等 |
分类号 | C01B33/021 | 主分类号 | C01B33/021 |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
主权项 | 1、一种生产Si的方法,其特征在于将碱金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐或氟化物、或者碱土金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐或氟化物,或者两种或更多种这些化合物加入固体SiO中,其中这些化合物的总摩尔量为固体SiO摩尔量的1/20至1000倍,将混合物在Si的熔点至2000℃之间加热以诱发产生Si的化学反应,以及将Si与反应副产物分离并回收。 | ||
地址 | 日本东京都 |