发明名称 | 温度补偿式晶体振荡器 | ||
摘要 | 此处公开了一种温度补偿式晶体振荡器。该温度补偿式晶体振荡器包括:第一和第二分层结构,IC芯片,晶体振荡片,树脂模制部分和金属盖。第一分层结构由至少一个层组成,并且其中形成一个孔。第二分层结构,位于第一分层结构的上表面之上,包括至少一个其中形成有孔的层,形成该孔的区域与第一分层结构的孔不重叠。IC芯片,插入到第一分层结构的孔中。晶体振荡片,插入到第二分层结构的孔中。树脂模制部分,通过把树脂填入第一分层结构用于容纳IC芯片的孔中形成与第一分层结构的底面相齐平的孔的底面而形成。金属盖,位于第二分层结构的上表面,用于盖住第二分层结构所形成的孔。 | ||
申请公布号 | CN1184843C | 申请公布日期 | 2005.01.12 |
申请号 | CN02106685.X | 申请日期 | 2002.03.05 |
申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 郑赞榕 |
分类号 | H04Q7/32;H03B1/00 | 主分类号 | H04Q7/32 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
主权项 | 1.一种温度补偿式晶体振荡器,包括:第一分层结构,它由至少一个层组成,并且其中形成一个孔;第二分层结构,位于第一分层结构的上表面,由至少一个层组成,并且在与第一分层结构的孔不相重叠的区域形成一个孔;集成电路芯片,插入到第一分层结构的孔中;晶体振荡片,插入到第二分层结构的孔中;树脂模制部分,通过把树脂填入第一分层结构容纳集成电路芯片的孔中,使孔的底面与第一分层结构的底面相齐平而形成;金属盖,位于第二分层结构的上表面,用于盖住第二分层结构中形成的孔。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |