一种Al<SUB>4</SUB>SiC<SUB>4</SUB>陶瓷的制备方法

摘要

本发明公开一种Al₄SiC₄陶瓷的制备方法。各组分重量比是：铝粉∶石墨粉∶聚碳硅烷＝(2～4)∶(0.2～3.8)∶(1～5)，制备步骤是：(一)首先将铝粉与石墨粉充分混合；同时将聚碳硅烷溶于有机溶剂中，然后将混好的铝与石墨混合粉放置于聚碳硅烷的有机溶液中，升温搅拌直至有机溶剂完全挥发。(二)取出烘干的粉料在氩气保护下于800℃～1400℃裂解。(三)裂解后的物料充分粉碎混合。(四)将混合好的料置于石墨材质的模具中，在热压烧结炉中于1600℃～2200℃烧结。烧结过程通氩气保护，烧结压力为10～40MPa，保温1～5小时。本发明使用有机物预裂解的合成方式，增强了烧结体之间的烧结活性，减少了高温烧结的时间，烧结出的样品具有88～99％的致密度。

主权项

1、一种Al4SiC4陶瓷的制备方法，其特征是它的各组分重量比是铝粉∶石墨粉∶聚碳硅烷＝(2～4)∶(0.2～3.8)∶(1～5)，制备步骤是：(一)首先将铝粉与石墨粉充分混合；同时将聚碳硅烷溶于有机溶剂中形成澄清透明溶液，然后将混好的铝与石墨混合粉置于聚碳硅烷的有机溶液中，搅拌至少10分钟后，将溶液加热并且继续搅拌使有机溶剂挥发至溶液变成粘稠糊料时停止搅拌，但仍继续加热、烘干使有机溶剂完全挥发；(二)取出烘干的粉料在氩气保护下于800～1400℃裂解，裂解的目的是使有机物聚碳硅烷无机化，转变成非晶或微晶的SiC颗粒；(三)裂解后的粉末充分粉碎混合至粒度为2～50μm；(四)将混合好的物料置于石墨材质的模具中，在热压烧结炉中于1600～2200℃恒温1～5小时烧结，烧结过程为真空或氩气保护，烧结压力为10～40MPa。