发明名称 在崩溃模式中利用电流顺度装置之程式电晶体
摘要 一电晶体(诸如:一金氧半场效电晶体(MOSFET))系相对于其饱和区域而操作于其崩溃区域,藉以对一电性熔丝进行程式化。利用操作于崩溃区域之程式化电晶体,相对于关连之饱和电流,相同大小之电晶体便可以得到更高之电流。如此,本发明便可以利用一较小之电晶体,对此电性熔丝进行程式化。另外,配合崩溃区域之电晶体操作,一动态电流顺度装置亦可用来限制其最高电流,藉以避免超额电流通过此电晶体而产生之损害。此电流顺度装置可外接于此电性熔丝,藉以对电晶体电路进行程式化。
申请公布号 TWI226705 申请公布日期 2005.01.11
申请号 TW092115773 申请日期 2003.06.10
申请人 亿恒科技股份公司;国际商务机器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美国 发明人 坎德拉斯克哈伦.寇山德拉曼;山达.库马.李尔
分类号 H01L29/772 主分类号 H01L29/772
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中正区忠孝东路一段一七六号九楼
主权项 1.一种经由一串连电晶体以程式化一积体电性熔丝之方法,该串连电晶体系具有一汲极、一源极、及一闸极,其中,该熔丝系耦接至该汲极及该源极其中之一,该方法系包括下列步骤:在该熔丝中,产生一足够大小之电流,藉以增加该熔丝之电性阻抗,其包括:将该串连电晶体操作于其崩溃区域;以及限制该电流至一已决定为不足以损害该串连电晶体之大小。2.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括:在一程式化期间执行该产生步骤,以及施加一足够大小之信号至该串连电晶体之闸极,藉以启动该串连电晶体,进而开始该程式化期间。3.如申请专利范围第2项所述之方法,更包括:提供一电压至该串连电晶体,藉以使该电压之大小能够大于该串连电晶体之崩溃电压,进而将该串连电晶体操作于其崩溃区域。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,该限制步骤系包括:在该程式化期间,相对于该熔丝之电性阻抗增加,而动态地变动该电压,藉以使该电流能够维持在一固定大小。5.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括:由耦接在一共用节点之复数个可利用熔丝中,选择该熔丝,藉以在该熔丝中产生该电流、并启动关连该熔丝之该串连电晶体之闸极。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中,该选择步骤更包括:提供一预定电压至该共用节点,藉以使该预定电压之大小能够大于该串连电晶体在一启动模式中之崩溃电压、并小于该串连电晶体于一非启动模式中之崩溃电压。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中,该限制步骤系包括:在该程式化期间,相对于该熔丝之电性阻抗增加,调变该预定电压,藉以使该电流能够维持在一固定大小。8.一种可程式化熔丝之装置,其包括:一可程式化熔丝结构,具有一熔丝及一电晶体,该电晶体具有一闸极、一汲极、及一源极,其中,该电晶体系耦接至该熔丝,藉以使该汲极及该源极能够选择性地串连至该熔丝;以及一程式化装置,耦接至该可程式化熔丝结构、并配合该电晶体以在该熔丝中产生一足够大小之电流,进而增加该熔丝之电性阻抗,该程式化装置更用以将该电晶体操作于其崩溃区域、并限制该电流至一已决定为不足以损害该电晶体之大小。9.如申请专利范围第8项所述之装置,其中,该程式化装置系具有一控制电路,耦接至该闸极、并用以提供一足够大小之信号,藉以启动该闸极,进而开始一程式化期间。10.如申请专利范围第8项所述之装置,其中,该程式化装置系具有一顺度装置,耦接至该熔丝结构、并用以提供一大于该电晶体之崩溃电压之电压,藉以将该电晶体驱动于其崩溃区域。11.如申请专利范围第10项所述之装置,其中,该顺度装置系因应该电晶体之闸极之启动,用以提供该电流。12.如申请专利范围第11项所述之装置,其中,该顺度装置系在该程式化期间,相对于该熔丝之电性阻抗增加,而动态地变动该电压,藉以使该电流能够维持于一固定大小。13.如申请专利范围第11项所述之装置,其中,相较于该程式化期间该顺度装置之响应时间,系至少快上一大小等级。14.如申请专利范围第10项所述之装置,其中,该熔丝结构系整合于一矽晶片上,且该顺度装置系外接于该矽晶片。15.如申请专利范围第8项所述之装置,其中,该熔丝结构及该程式化装置之至少一部分系整合于一矽晶片上。16.一种电性程式化系统,其包括:复数个可程式化熔丝结构,耦接至一共用节点,其中,各个可程式化熔丝结构系具有一熔丝及一电晶体,该电晶体系具有一闸极、一汲极、及一源极,其中,该电晶体系耦接至该熔丝,藉以使该汲极及该源极能够串连至该熔丝;以及一程式化装置,耦接至各个可程式化熔丝结构、并用以产生一足够大小之电流,藉以选择性地增加该等可程式化熔丝结构中其中一可程式化熔丝结构之熔丝之电性阻抗,该程式化装置更用以将该等电晶体操作于其崩溃区域、并限制该电流至一已决定为不足以损害该等电晶体之大小。17.如申请专利范围第16项所述之系统,其中,该程式化装置系具有一控制电路,耦接至该等闸极、并用以选择该熔丝,其中,该控制电路更用以提供一足够大小之信号,藉以启动关连该熔丝之一电晶体之闸极,进而开始一程式化期间。18.如申请专利范围第16项所述之系统,其中,该程式化装置更具有一顺度装置,耦接至该共用节点、并用以提供一预定电压,该预定电压之大小系大于该电晶体在一启动模式中之崩溃电压、并小于该电晶体在一非启动模式中之崩溃电压。19.如申请专利范围第18项所述之系统,其中,该顺度装置更在该程式化期间,相对于该熔丝之电性阻抗增加,调变该预定电压,藉以使该电流能够维持于一固定大小。20.如申请专利范围第16项所述之系统,其中,该等可程式化熔丝结构及该程式化装置之至少一部分系整合于一矽晶片上。图式简单说明:第1图系表示一种习知电路藉以对一熔丝进行程式化。第2图系表示一种习知电路藉以对复数个熔丝进行程式化。第3图系表示一种电路藉以根据本发明之较佳实施例对一电性熔丝进行程式化。第3A图系表示第3图所示之顺度电路之较佳实施例。第4图系表示一种根据本发明之较佳实施例利用电流顺度之电晶体特征及负载线之图式。第5图系表示一种具有关闭闸极及开启闸级之电晶体特征之图式。第6图系表示一种复数个熔丝排列藉以根据本发明之较佳实施例对一电性熔丝进行程式化。
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