| 主权项 |
1.一种移除氮化矽层的方法,包括:提供一晶圆;于该晶圆上形成一氮化矽离子植入罩幕;进行一离子植入步骤;以及将该晶圆置于一蚀刻反应槽中,且该蚀刻反应槽中系注入有一含氧化能力之化学反应物,以移除该氮化矽离子植入罩幕,其中在移除该氮化矽离子植入罩幕之过程中,会同时在裸露的该晶圆表面形成一化学氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之移除氮化矽层的方法,其中该含氧化能力之化学反应物系为一含过氧化氢之溶液。3.如申请专利范围第1项所述之移除氮化矽层的方法,其中该含氧化能力之化学反应物系为一含臭氧之溶液。4.如申请专利范围第1项所述之移除氮化矽层的方法,其中该含氧化能力之化学反应物系为一含臭氧之气体。5.如申请专利范围第1项所述之移除氮化矽层的方法,其中移除该氮化矽层之方法系将该晶圆置于一磷酸槽中。6.如申请专利范围第1项所述之移除氮化矽层的方法,其中在形成该氮化矽离子植入罩幕之前,更包括先在该晶圆之表面上形成一垫氧化层。7.一种移除氮化矽层的方法,包括:提供一磷酸槽,其中该磷酸槽具有一加水单元;在该磷酸槽中注入一含氧化能力之化学反应物;以及将一晶圆置于该磷酸槽内,其中该晶圆上已形成有图案化之一氮化矽离子植入罩幕以及该晶圆中已形成有至少一掺杂区,以移除该氮化矽离子植入罩幕,其中该晶圆在该磷酸槽中因该含氧化能力之化学反应物之作用,因此会在裸露的该晶圆之该掺杂区表面形成一化学氧化层。8.如申请专利范围第7项所述之移除氮化矽层的方法,其中该含氧化能力之化学反应物系为一含过氧化氢之溶液。9.如申请专利范围第7项所述之移除氮化矽层的方法,其中该含氧化能力之化学反应物系为一含臭氧之溶液。10.如申请专利范围第7项所述之移除氮化矽层的方法,其中该含氧化能力之化学反应物系为一含臭氧之气体。11.如申请专利范围第7项所述之移除氮化矽层的方法,其中将该含氧化能力之化学反应物注入该磷酸槽之方法系由该加水单元处将该含氧化能力之化学反应物注入该磷酸槽中。12.如申请专利范围第7项所述之移除氮化矽层的方法,其中将该含氧化能力之化学反应物注入该磷酸槽之方法系外接另一条管件以及一注入单元,以将该含氧化能力之化学反应物注入该磷酸槽中。13.如申请专利范围第7项所述之移除氮化矽层的方法,其中在形成该氮化矽离子植入罩幕之前,更包括先在该晶圆之表面上形成一垫氧化层。14.如申请专利范围第7项所述之移除氮化矽层的方法,其中在形成该氮化矽离子植入罩幕之后,更包括进行一离子植入步骤。图式简单说明:第1A图至第1C图为习知移除氮化矽层时会在晶圆之表面形成凹陷缺陷之流程剖面示意图;第2图是依照本发明一较佳实施例之一种用于移除氮化矽层之设备示意图;第3图是依照本发明一较佳实施例之另一种用于移除氮化矽层之设备示意图;以及第4A图至第4C图为依照本发明一较佳实施例之移除氮化矽层之流程剖面示意图。 |
