| 主权项 |
1.一种基板(1)曝光用之方法,此基板(1)设有一种n个层之光阻系统(2),此方法是以微粒射线来进行,须在接地电位和基板(1)及/或光阻系统(2)之各层S1至Sn中至少一层之间形成一种导电性连接以便排除电荷,其特征为:在某一步骤中于曝光开始之前这些层S1至Sn须经由m个接触尖端K1至Km而与接地电位导电性地相连接,其中此一已涂层之基板(1)及接触尖端K1至Km须相对移动直至接地电位和每一各别之层S1至Sn之间分别经由各接触尖端K1至Km中至少一个而形成导电性连接时为止;该接触尖端K1向前推至与层S1相接触,接触尖端K2经由层S1向前推至与层S2相接触,接触尖端K3经由层S1和S2向前推至与层S3相接触为止等等。2.如申请专利范围第1项之方法,其中另外在接地电位和基板(1)之间经由接触尖端K1至Km中至少一个而形成一种导电性连接。3.如申请专利范围第1项之方法,其中接触尖端K1向前推至与层S1相接触,接触尖端K2经由层S1向前推至与层S2相接触,接触尖端K3经由层S1和S2向前推至与层S3相接触为止等等。4.如申请专利范围第2项之方法,其中接触尖端K1向前推至与层S1相连触,接触尖端K2经由层S1向前推至与层S2相接触,接触尖端K3经由层S1和S1向前推至与层S3相接触为止等等,最后,接触尖端Km经由层S1至Sn向前推至与基板(1)相接触为止。5.如申请专利范围第1,2,3或4项之方法,其中各层S1至Sn中各别之层及/或基板(1)经由其它之接触尖端K1至Km(其数目是此差値m-n)而与接地电位相连接。6.如申请专利范围第1,2,3或4项之方法,其中各接触尖端K1至Km之向前推进方式至少是几何平行于微粒射线之方向(3)来进行,这样可使各别可穿过之各层S1至Sn之材料被排除直至每一个接触尖端K1至Km到达其所属之层S1至Sn或基板(1)时为止。7.如申请专利范围第1,2,3或4项之方法,其中各接触尖端K1至Km向前推进时在座标X及/或Y中具有一种移动成份,这样可使各别可穿过之各层S1至Sn之材料被整平直至每一个接触尖端K1至Km到达其所属之层S1至Sn或基板(1)时为止。8.如申请专利范围第6项之方法,其中各接触尖端K1至Km向前推进时在座标X及/或Y中具有一种移动成份,这样可使各别可穿过之各层S1至Sn之材料被整平直至每一个接触尖端K1至Km到达其所属之层S1至Sn或基板(1)时为止。9.一种基板(1)之结构化所用之配置,此基板(1)设有光阻系统(2)之多个层S1至Sn,一种微粒射线对准光阻系统(2)以便进行曝光且基板(1)中设有一些元件以便使曝光期间在光阻系统(2)中所形成之电荷被排除至接地电位处,其特征为:-每一层S1至Sn配置于m个接触尖端K1至Km中之至少一个接触尖端,-每一接触尖端K1至Km经由一种导电性连接线(9)而与接地电位相连接,-已涂层之基板(1)和各接触尖端K1至Km在微粒射线之方向(3)中以可相对移动之方式配置着,其中藉由基板(1)之移动使该接触尖端K1可与层S1导电性地连接,接触尖端K2穿过该层S1且与层S2导电性地连接,接触尖端K3穿过该层S1和S2且与层S3形成导电性连接等等。10.如申请专利范围第9项之配置,其中该基板(1)配属于各接触尖端K1至Km中之至少一个接触尖端。11.如申请专利范围第9项之配置,其中接触尖端K1之几何形状和由弹簧元件E1所预设之力F1须互相调整且须参考此层S1之厚度和黏度来调整,使得在基板(1)移动至位置Z1时可在接触尖端K1和接地电位之间形成一种导电性连接。12.如申请专利范围第9或第10项之配置,其中接触尖端K2之几何形状和力F2须互相调整且须参考此层S1之厚度和黏度来调整,使得在基板(1)移动至位置Z1时此层S1被接触尖端K2所穿过且在此层S2和接地电位之间会经由接触尖端K2而形成一种导电性连接,接触尖端3之几何形状和力F3须互相调整且须参考此层S1和S2之厚度和黏度来调整,使得在基板(1)移动至位置Z1时这些层S1和S2可被接触尖端K3所穿过且在此层S3和接地电位之间经由接触尖端K3而形成一种导电性连接等等,接触尖端Kn之几何形状和力Fn须互相调整且须参考这些层S1至Sn-1之厚度和黏度来调整,使得在基板(1)移动至位置Z1时这些层S1至Sn-1可被接触尖端Kn所穿过且在此层Sn和接地电位之间经由接触尖端Kn而形成一种导电性连接。13.如申请专利范围第9项之配置,其中光阻系统(2)由三个层S1至S3所形成,此层S1由聚合物-光阻所构成,此层S2由氮化矽所构成而此层S3亦由聚合物-光阻所构成。14.如申请专利范围第13项之配置,其中设有4个由片簧所构成之弹簧元件E1至E4,各弹簧元件之一端是与支件(7)相连接且另一相对之一端是与所属之接触尖端K1至K4相连接。15.如申请专利范围第14项之配置,其中弹簧元件E1至E4之力F1至F4是在0.1至2牛顿之范围中,接触尖端K1至K4之接触面(8)所具有之半径R是在20m至100m之范围中且各层S1至S3之厚度是0.5nm至2m。图式简单说明:第1图 接触前之已涂层之基板。第2图 处于接触状态中之已涂层之基板。第3图 基板和接触尖端之俯视图。第4图 基板和接触尖端在第3图之方向A中之侧视图。第5图 接触期间接触尖端之移动轨。第6图 接触尖端之几何形状之详细图解。 |
