发明名称 具散热盖改良之半导体封装结构
摘要 一种具散热盖改良之半导体封装结构,其系包含有一基板、一在该基板上之晶片、一环罩该晶片之散热盖及一封胶体,该散热盖具有一显露于该封胶体之矩形顶面及一底缘,该散热盖之矩形顶面在角隅间对角线系与该基板之角隅间之对角线为纵向平行,以该散热盖之该矩形顶面之角隅增强该散热盖之该底缘之结构强度,而降低该基板在角隅处之翘曲度。
申请公布号 TWI226686 申请公布日期 2005.01.11
申请号 TW093102768 申请日期 2004.02.06
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 赖逸少;吴政达
分类号 H01L23/31 主分类号 H01L23/31
代理机构 代理人
主权项 1.一种具散热盖改良之半导体封装结构,包含:一基板,其系具有一上表面及一对应之下表面,该上表面系具有复数个第一角隅;一晶片,其系设于该基板之上表面并与该基板电性连接;一散热盖,其系设于该基板之上表面并环罩该晶片,该散热盖系具有一矩形顶部及一底缘,其中该矩形顶部系具有复数个第二角隅;及一封胶体,其系设于该基板之上表面并密封该晶片;其中该基板之该些第一角隅间之对角线系与该散热盖之该些第二角隅间之对角线为纵向平行。2.如申请专利范围第1项所述之具散热盖改良之半导体封装结构,其中该基板之对角线交错之中心点系与该散热盖之对角线交错之中心点在一中心轴上。3.如申请专利范围第1项所述之具散热盖改良之半导体封装结构,其中该基板之上表面系具有不大于该散热盖之矩形顶面与底缘面积之一点五倍。4.如申请专利范围第1项所述之具散热盖改良之半导体封装结构,其中该散热盖之矩形顶面系显露于该封胶体。5.如申请专利范围第1项所述之具散热盖改良之半导体封装结构,其中该散热盖之底缘系形成有复数个凸点,用以接触该基板之上表面。6.如申请专利范围第1项所述之具散热盖改良之半导体封装结构,其中该散热盖之矩形顶面周边系设有复数个入胶口。7.如申请专利范围第1项所述之具散热盖改良之半导体封装结构,其另包含有复数个焊球,其系设于该基板之下表面。8.如申请专利范围第1项所述之具散热盖改良之半导体封装结构,其中该基板系为多层印刷电路板。图式简单说明:第1图:习知内置散热盖之半导体封装结构沿基板对角线之截面示意图;第2图:习知内置散热盖之半导体封装结构之局部剖切立体示意图;第3图:在习知内置散热盖之半导体封装结构中,其包含之基板与散热盖之局部剖切立体示意图;第4图:本发明之具散热盖改良之半导体封装结构之俯视示意图;第5图:本发明之具散热盖改良之半导体封装结构沿基板对角线之截面示意图;第6图:本发明之具散热盖改良之半导体封装结构之局部剖切示意图;及第7图:在本发明之具散热盖改良之半导体封装结构中,其包含之基板与散热盖之局部剖切立体示意图。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路二十六号