发明名称 应用于快闪唯读记忆体与快闪唯读记忆体基座接合之防呆机构
摘要 一种应用于快闪唯读记忆体与快闪唯读记忆体基座接合之防呆机构,包括于快闪唯读记忆体上设计一个第一防呆装置,以及于快闪唯读记忆体基座上设计相对应于第一防呆装置的一个第二防呆装置,其系用来与快闪唯读记忆体之第一防呆装置接合。本发明之防呆机构也可应用于积体电路与积体电路基座之接合上,包括于积体电路上设计一个第一防呆装置,以及于积体电路基座上设计相对应于第一防呆装置的一个第二防呆装置,其系用来与积体电路之第一防呆装置接合。
申请公布号 TWI226729 申请公布日期 2005.01.11
申请号 TW090118847 申请日期 2001.08.02
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 施东和;林宗仪
分类号 H01R13/64 主分类号 H01R13/64
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一;萧锡清 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种应用于一快闪唯读记忆体与一快闪唯读记忆体基座接合之防呆机构,包括:一第一防呆装置,设置于该快闪唯读记忆体上,该第一防呆装置系可分辨该快闪唯读记忆体之一方向;以及一第二防呆装置,设置于该快闪唯读记忆体基座上,该第二防呆装置系相对应于该第一防呆装置,而与该第一防呆装置相接合。2.如申请专利范围第1项所述之防呆机构,其中该第一防呆装置系由至少一个凸出形状所组成。3.如申请专利范围第2项所述之防呆机构,其中该至少一个凸出形状系为不对称。4.如申请专利范围第1项所述之防呆机构,其中该第二防呆装置系由相对应于该至少一个凸出形状的至少一个凹入形状所组成,而与该些凸出形状接合。5.一种应用于一种积体电路与一种积体电路基座接合之防呆机构,包括:一第一防呆装置,设置于该积体电路上,该第一防呆装置系可分辨该积体电路之一方向;以及一第二防呆装置,设置于该积体电路基座上,该第二防呆装置系相对应于该第一防呆装置,而与该第一防呆装置接合。6.如申请专利范围第5项所述之防呆机构,其中该第一防呆装置系由至少一个凸出形状所组成。7.如申请专利范围第6项所述之防呆机构,其中该至少一个凸出形状系为不对称。8.如申请专利范围第5项所述之防呆机构,其中该第二防呆装置系由相对应于该至少一个凸出形状的至少一个凹入形状所组成,而与该些凸出形状接合。图式简单说明:第1A图绘示的是习知工业用标准快闪唯读记忆体的上视图;第1B图绘示的是对应于第1A图之习知工业用标准快闪唯读记忆体的前视图;第1C图绘示的是对应于第1A图之习知工业用标准快闪唯读记忆体的侧视图;第2A图绘示的是习知工业用标准快闪唯读记忆体基座之上视图;第2B图绘示的是对应于第2A图之习知工业用标准快闪唯读记忆体基座的前视图;第2C图绘示的是对应于第2A图之习知工业用标准快闪唯读记忆体基座的侧视图;第3A图绘示的根据本发明之具有防呆机构设计之快闪唯读记忆体的上视图;第3B图绘示的是对应于第3A图之根据本发明之具有防呆机构设计之快闪唯读记忆体的前视图;第3C图绘示的是对应于第3A图之根据本发明之具有防呆机构设计之快闪唯读记忆体的侧视图;第4A图绘示的是一种根据本发明之具有防呆机构设计之快闪唯读记忆体基座的上视图;第4B图绘示的是对应于第4A图之根据本发明之具有防呆机构设计之快闪唯读记忆体基座的前视图;以及第4C图绘示的是对应于第4A图之根据本发明之具有防呆机构设计之快闪唯读记忆体基座的侧视图。
地址 台北县新店市中正路五三五号八楼
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