发明名称 层积型压电零件之制造方法及层积型压电零件
摘要 本发明系提供一种层积型压电零件之制造方法及层积型压电零件之相关技术,其系无论在施以薄层化或多层化、或即使使用Ag含有率高之内部电极材料之情形下,亦能取得较高的压电d常数,并制造能抑制绝缘电阻的劣化等之可靠性下降之层积型压电零件。藉由以通式ABO3所表示之PZT系之钙钛矿型复合氧化物而形成压电陶瓷素体之层积型压电零件之制造方法中,将A部位成份(Pb)之含有莫耳量对化学计量论组成而减少0.5~5.0mol%,进而使B部位成份之平均价数能较化学计量论组成之4价更大之方式,混合陶瓷素原料,并合成前述陶瓷粉末原料。继之,对前述压电陶瓷粉末原料施行加工处理而制作层积成形体,此后,在氧气浓度为5.0vol%以下(其中,未包含0vol%)之低氧环境下,焙烧前述层积成形体。
申请公布号 TWI226714 申请公布日期 2005.01.11
申请号 TW092119399 申请日期 2003.07.16
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 堀川 胜弘;小川 智之
分类号 H01L41/187;H01L41/22;H01L41/107;C04B35/491 主分类号 H01L41/187
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种层积型压电零件之制造方法,其特征在于: 具有复数个压电陶瓷层和介于该压电陶瓷层而配 置之内部电极层,并由以通式ABO3所表示之钙钛矿 型复合氧化物而形成构成前述压电陶瓷层之压电 陶瓷,并且至少含有Pb而作为A部位成份,且至少含 有Ti而作为B部位成份,其系含有: 粉末原料产生步骤,其系产生将前述A部位成份之 含有莫耳量较化学计量论组成更减少0.5mol%~5.0 mol% 之压电陶瓷粉末原料; 层积成形体制作步骤,其系使用前述压电陶瓷粉末 原料而制作层积成形体;以及 焙烧步骤,其系在氧气浓度之体积%为5%以下(其中, 未包含0%)之气体环境中,在前述层积成形体施行焙 烧处理。 2.如申请专利范围第1项之层积型压电零件之制造 方法,其中前述粉末原料产生步骤,系以使前述B部 位成份之平均价数能较化学计量论组成更大之方 式,将构成前述A部位成份之陶瓷素原料和构成B部 位成份之陶瓷素原料予以混合。 3.如申请专利范围第2项之层积型压电零件之制造 方法,其中前述B部位成份系更含有Ti、Zr、以及Ti 、Zr以外之离子, 在前述B部位成份之含有离子Mn(n=1、2、3、…i)之 价数记为an(n=1、2、3、…i),前述Mn之含有莫耳比记 为bn(n=1、2、3、…i)时,则控制前述B部位成份之平 均价数,使能满足 而产生前述压电陶瓷粉末原料。 4.如申请专利范围第1项之层积型压电零件之制造 方法,其中前述粉末原料产生步骤,系将包含于前 述A部位成份之Pb的含有莫耳量,对化学计量论组成 而减至0.5~5.0mol%。 5.如申请专利范围第1项之层积型压电零件之制造 方法,其中前述B部位成份系更含有Nb。 6.如申请专利范围第1项之层积型压电零件之制造 方法,其中前述B部位成份系更含有Nb和Ni。 7.如申请专利范围第1项之层积型压电零件之制造 方法,其中前述B部位成份系更含有择自Nb、Sb、Ta 、W之中之至少1种以上之成份。 8.如申请专利范围第7项之层积型压电零件之制造 方法,其中前述B部位成份系更含有择自Ni、Cr、Co 、Mg之中之至少1种以上之成份。 9.如申请专利范围第1项之层积型压电零件之制造 方法,其中前述层积成形体制作步骤系含有: 将前述压电陶瓷粉末原料成形成薄膜状,而制作陶 瓷生坯薄片之陶瓷生坯薄片制作步骤; 使用内部电极用之导电性糊状物而形成电极图案 于前述陶瓷生坯薄片上之步骤;以及 将形成前述电极图案之陶瓷生坯薄片予以层积而 形成层积成形体之步骤。 10.如申请专利范围第9项之层积型压电零件之制造 方法,其中前述导电性糊状物系含有作为主要成份 之Ag。 11.一种层积型压电零件,其系 由依据申请专利范围第1项乃至第10项之中之任意 一项之制造方法而制造。 图式简单说明: [图1]表示作为本发明之层积型压电零件之层积压 电致动装置之一实施形态(第1实施形态)之截面图 。 [图2]表示作为本发明之层积型压电零件之第2实施 形态之层积压电发音体之截面图。 [图3]表示作为本发明之层积型压电零件之第3实施 形态之层积压电感测器之截面图。
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