光阻剂组成物及其用途

摘要

本发明之组成物及方法提供在一个曝光后，显影后之硬性烘烤处理步骤中的进入元件之接触(通)孔的经控制之流动。本发明之阻剂为正型，并含有一种或以上之成分，其较佳者为在：1)软性烘烤处理，曝光前之加热以去除所施用之阻剂的溶剂载体，以及2)曝光后、显影前之加热处理以促进或加强已曝光领域中的以酸促进之反应(通常系一种去阻绝反应)当中，系实质上稳定(亦即，无实质之交联)。然而，本发明之阻剂在显影后之一个更加严苛的加热处理(加热流动硬性烘烤处理)步骤当中将会交联。

主权项

1.一种正型光阻剂组成物,包括一光活性成分以及 一聚合物,该聚合物包括1)对交联反应具反应性之 乙缩醛基或酯基;以及2)光酸致变基;其中,该聚合 物成分之使用量须足以使该阻剂之被覆层可为水 系硷性显影液所显影,且该光活性成分包含光酸产 生剂,系适当足量使用以在曝露于活化辐射时于阻 剂之被覆层中产生潜在图像,其中该聚合物包括下 式I之单元 其中W系一键合基; R系一随意之经取代的环状或非环状烷基; R1系氢或一环状或非环状烷基; Y系氢或随意之经取代的烷基。 2.如申请专利范围第1项之光阻剂组成物,其中之乙 缩醛基具有一经二级或三级碳取代之氧键合。 3.如申请专利范围第1项或第2项之光阻剂组成物, 其中之聚合物包括苯酚单元。 4.如申请专利范围第1项或第2项之光阻剂组成物, 其中之聚合物包括环烷基单元。 5.如申请专利范围第1项之光阻剂组成物,其中之聚 合物包括烷基丙烯酸酯光酸致变基。 6.一种正型光阻剂组成物,包括一光活性成分,光活 性成分包含光酸产生剂系适当足量使用以在曝露 于活化辐射时于阻剂之被覆层中产生潜在图像;以 及一包括对交联反应具反应性之乙缩醛基的聚合 物成分,以及一包括光酸致变基之成分,且各成分 之使用量系足以使该阻剂之被覆层可为水系硷性 显影液所显影,其中该聚合物包括下式I之单元 其中W系一键合基; R系一随意之经取代的环状或非环状烷基; R1系氢或一环状或非环状烷基; Y系氢或随意之经取代的烷基。 7.如申请专利范围第6项之光阻剂组成物,其中具有 交联基之成分以及具有光酸致变基之成分系该光 阻剂之一单一成分。 8.如申请专利范围第6项之光阻剂组成物,其中具有 交联基之成分以及具有光酸致变基之成分系该光 阻剂之个别成分。 9.如申请专利范围第6项之光阻剂组成物,其中之乙 缩醛基具有一经二级或三级碳取代之氧键合。 10.如申请专利范围第1项或第2项以及第5项至第9项 中任一项之光阻剂组成物,其中之聚合物实质上不 含芳基。 11.如申请专利范围第1项或第2项以及第5项至第9项 中任一项之光阻剂组成物,其中该光阻剂包括一热 酸产生剂化合物。 12.如申请专利范围第1项或第2项以及第5项至第9项 中任一项之光阻剂组成物,其中该光阻剂不含热酸 产生剂化合物。 13.一种处理微电子晶圆基材之方法,包括: a)施用一层之如申请专利范围第1项至第12项中任 一项之光阻剂组成物于该微电子基材上;以及 b)将基材上之光阻剂层曝光并且显影以产生一经 已显影之光阻剂层; c)加热处理该经已显影之光阻剂层,以引发单一或 多数的光阻剂成分之交联反应。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中之基材系一 微电子晶圆。 15.如申请专利范围第13项之方法,其中之光阻剂层 系曝光于经图样化之具有248奈米之波长之辐射。 16.如申请专利范围第13项之方法,其中之光阻剂层 系曝光于经图样化之具有低于200奈米之波长之辐 射。 17.如申请专利范围第13项至第16项中任一项之方法 ,其中之加热处理引发经已显影之光阻剂层的流动 。 18.如申请专利范围第13项至第16项中任一项之方法 ,其中之基材系包括单一或多数之接触孔。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中在加热处理 当中该光阻剂层流入该单一或多数之接触孔。 20.如申请专利范围第13项至第16项中任一项之方法 ,其中之光阻剂层在显影之后系经加热到至少130℃ 。 21.如申请专利范围第13项至第16项中任一项之方法 ,其中之光阻剂层在显影后系经加热到至少150℃。 22.如申请专利范围第13项至第16项中任一项之方法 ,其中之光阻剂层在显影后系经加热到至少160℃。 23.如申请专利范围第13项至第16项中任一项之方法 ,其中之光阻剂在曝光后显影前经加热到不高于120 ℃之温度,并且该显影前之加热处理不引起该光阻 剂层之实质的交联反应。 24.一种制造物品,包括一基材,于该基材上被覆有 一如申请专利范围第1项至第12项中任一项之光阻 剂组成物。 25.如申请专利范围第24项之物品,其中之基材系一 微电子晶圆。 26.如申请专利范围第24项之物品,其中该微电子晶 圆包括单一或多数之接触孔。