| 主权项 |
1.一种以下式2代表之光阻共聚物,(式2)其中X为 ;R1为H且R2代表H或C1-C4直链烷基;Y为氢或羧酸基;且m为1至4之数字;而a:b:c:d之聚合比例为(5-90莫耳%):(5-90莫耳%):(0-50莫耳%):(5-85莫耳%),其中该共聚物系选自由下列所组成之族群中:聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2-羟乙酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸3-羟丙酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2-羟丙酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸4-羟丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸3-羟丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2-羟丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2-甲基-3-羟丙酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2-羟乙酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2,3-二羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸3-羟丙酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2,3-二羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2-羟丙酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2,3-二羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸4-羟丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2,3-二羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸3-羟丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2,3-二羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2-羟丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2,3-二羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2-甲基-3-羟丙酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/5-原冰片烯-2,3-二羧酸/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2-羟乙酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸3-羟丙酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2-羟丙酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸4-羟丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸3-羟丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2-羟丁酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/顺丁烯二酸酐)聚合物;聚(氧杂双环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸2-甲基-3-羟丙酯/5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/顺丁烯二酸酐)聚合物。2.一种制备根据申请专利范围第1项之光阻共聚物之方法,其包含下列步骤:(a)将(i)一或多种选自5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯;5-原冰片烯-2-羧酸及5-原冰片烯-2,3-二羧酸所组成之族群中之化合物;(ii)顺丁烯二酸酐;与(iii)下式1代表之化合物:(式1)(其中,R1为H;且R2为H或C1-C4直链烷基;且m为1至4之数字)溶解于聚合作用有机溶剂中;及(b)将聚合作用引发剂加至所成之溶液中;(c)使用乙醚溶剂将该所成之溶液沈淀。3.根据申请专利范围第2项之制备光阻共聚物之方法,其中该聚合作用引发剂为2,2-偶氮双异丁、过氧化乙醯基、过氧化月桂基、过氧化第三-丁基、或过氧化二第三-丁基。4.一种光阻组合物,其包含(a)根据申请专利范围第1项之光阻共聚物,(b)光酸产生剂;及(c)有机溶剂。5.根据申请专利范围第4项之光阻组合物,其中该光阻共聚物之量为所使用有机溶剂的约10至30wt%。6.根据申请专利范围第4项之光阻组合物,其中该光酸产生剂为硫盐或盐。7.根据申请专利范围第4项之光阻组合物,其中该光酸产生剂为三氟甲磺酸三苯基、三氟甲磺酸二丁基、磺酸2,6-二甲酯、双(芳磺基)-重氮甲烷、磺酸盐、1,2-重氮-4-磺酸盐。8.根据申请专利范围第4项之光阻组合物,其中该光酸产生剂之量为所使用光阻共聚物的0.05至10wt%。9.根据申请专利范围第4项之光阻组合物,其中该有机溶剂为3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、环己酮、丙二醇、甲基醚乙酸酯或其混合物。10.一种形成光阻图案之方法,其包含下列步骤:(a)藉由将根据申请专利范围第4项之光阻组合物涂覆于矽晶片上而形成光阻薄膜;(b)烘烤该光阻薄膜;(c)使用KrF或ArF作为光源,将该光阻薄膜暴露至曝光器;(d)烘烤该光阻剂薄膜;及(e)使用氢氧化四甲铵溶液,将该光阻薄膜显影。11.根据申请专利范围第10项之形成光阻图案之方法,其系用于制造半导体装置。图式简单说明:图1为显示使用习知ArF光阻树脂所得微图案之照片。图2至17为显示分别于实施例1至16中所形成微图案之照片。该等微图案系藉由使用含有本发明之氧杂双环单体之ArF或KrF光阻树脂所形成。 |
