| 发明名称 |
Verfahren zum Einstellen der Ätzselektivität durch Anpassen von Aspektverhältnissen bei einem Mehrebenen-Ätzprozess |
| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung offenbart eine Technik zum Steuern einer lokalen Ätzrate bei der Herstellung von Mehrebenen-Kontaktöffnungen beispielsweise bei der Herstellung von Substratkontaktöffnungen und Transistorkontaktöffnungen eines SOI-Bauteils. Die von dem Aspektverhältnis abhängige Ätzrate wird entsprechend angepasst, indem im Voraus geeignete Aspektverhältnisse für die Kontaktöffnungen ausgewählt werden, so dass die Ätzfront die entsprechend endgültige Tiefe innerhalb eines begrenzten Zeitintervalls erreichen kann.
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| 申请公布号 |
DE10324434(A1) |
申请公布日期 |
2005.01.05 |
| 申请号 |
DE20031024434 |
申请日期 |
2003.05.28 |
| 申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC. |
发明人 |
SCHWAN, CHRISTOPH;GRASSHOFF, GUNTER;GRIMM, VOLKER |
| 分类号 |
H01L21/308;H01L21/311;H01L21/336;H01L21/4763;H01L21/74;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/311 |
主分类号 |
H01L21/308 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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