半导体制造方法和半导体制造装置

摘要

提供一种可以正确调整工艺时的条件，高精度进行选择外延生长等的反应性气体处理的半导体制造方法。并且，提供一种可以抑制水分浓度的增加，防止重金属污染，同时能够检测反应室内水分浓度与外部区域之间相关的半导体制造方法和半导体制造装置。在设置衬底的状态下测量反应室(1)内或所述反应室的气体排放系统内的水分浓度，根据所述水分浓度调整反应性气体处理的条件。并且，在用连接于衬底运送系统(2、3)内密闭空间的第1水分计(6)测量所述密闭空间的水分浓度后，用所述衬底运送系统进行送入或取出衬底W的衬底运送工序，及在所述衬底运送工序后，用连接于反应室(1)的第2水分计一边测量反应室内的水分浓度一边进行反应性气体处理的处理工序。

主权项

1.一种半导体制造方法，在内部设置有衬底(W)的反应室(1)内流过反应性气体，进行使所述衬底(W)与所述反应性气体反应的反应性气体处理，其特征在于，在设置所述衬底(W)的状态下，测量所述反应室(1)内或所述反应室(1)的气体排放系统内的水分浓度，根据所述水分浓度，调整所述反应性气体处理的条件；所述反应性气体处理的条件，包括在向所述反应室(1)内流入反应性气体前进行的所述衬底(W)的加热条件。