具有减轻的击穿现象的沟道型双扩散金属氧化物半导体晶体管

摘要

一种形成沟道型DMOS晶体管的方法，所形成的沟道型DMOS晶体管具有减轻的击穿现象。该方法开始先提供一第一导电类型的衬底。在衬底上形成第二导电类型的体区。形成至少限定一个沟道的掩模层。接下来，形成沟道和沿着沟道的绝缘层。然后在沟道中形成覆盖在绝缘层上的导电电极。在体区中邻近沟道的地方形成第一导电类型的源区。形成沟道的步骤包括蚀刻沟道的步骤和在去除限定沟道的掩模前利用牺牲氧化物层使沟道的侧壁平滑的步骤。

主权项

1.一种形成沟道型DMOS晶体管元件的方法，包括以下步骤：提供一第一导电类型的衬底；在衬底上形成第二导电类型的体区；形成至少限定一个沟道的掩模层；形成由掩模所限定的沟道，所述沟道穿过体区延伸到衬底；沿着沟道形成绝缘层；在沟道中形成覆盖在绝缘层上的导电电极；以及在体区中邻近沟道的地方形成第一导电类型的源区，其中形成沟道的步骤包括蚀刻沟道的步骤和在去除限定沟道的掩模前利用牺牲氧化物层使沟道的侧壁平滑的步骤，并且在沟道中形成覆盖在绝缘层上的导电电极的步骤包括淀积一层未掺杂的多晶硅，然后再淀积一层掺杂的多晶硅的步骤。