发明名称 制备单分散硫化镉空心球的方法
摘要 本发明公开的制备单分散硫化镉空心球的方法,采用的是化学水浴沉积法,包括以下步骤:1)将粒径均匀的单分散二氧化硅球用超声振荡分散在去离子水溶液中,加入柠檬酸钠作络和剂,并用氨水调节pH值至8~13,在50℃~90℃恒温磁力搅拌,然后加入氯化镉和硫尿,反应1~2个小时,得到硫化镉包裹二氧化硅球的核壳结构;2)用稀释的氢氟酸腐蚀二氧化硅核心,得到空心的硫化镉球;3)用去离子水和无水乙醇采用离心沉积加超声分散循环清洗,去除反应残余物,烘干,得到单分散硫化镉空心球。本发明方法简单易行,制得的单分散硫化镉空心球可以被用作结构基元,制备具有高折射率反差和占空比大的、完全光子带隙的三维光子晶体。
申请公布号 CN1559911A 申请公布日期 2005.01.05
申请号 CN200410016496.8 申请日期 2004.02.20
申请人 浙江大学 发明人 谢荣国;李东升;杨德仁
分类号 C01G11/02;C03C17/22;C03C15/00 主分类号 C01G11/02
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 韩介梅
主权项 1.制备单分散硫化镉空心球的方法,其特征是包括以下步骤:1)将粒径均匀的单分散二氧化硅球用超声振荡分散在去离子水溶液中,加入柠檬酸钠作络和剂,并用氨水调节pH值至8~13,在50℃~90℃恒温磁力搅拌,然后加入氯化镉和硫尿,使溶液中氯化镉的浓度为0.001摩尔/升~0.01摩尔/升,硫尿的浓度为0.002摩尔/升~0.02摩尔/升,反应1~2个小时,得到硫化镉包裹二氧化硅球的核壳结构;2)用稀释的氢氟酸腐蚀二氧化硅核心,得到空心的硫化镉球;3)用去离子水和无水乙醇采用离心沉积加超声分散循环清洗,去除反应残余物,烘干,得到单分散硫化镉空心球。
地址 310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号