| 摘要 |
一种多块晶体电光Q开关器件，属于旋光性电光晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明由至少两块La<SUB>3</SUB>Ga<SUB>5</SUB>SiO1<SUB>4</SUB>或掺Nd离子La<SUB>3</SUB>Ga<SUB>5</SUB>SiO<SUB>14</SUB>或相关系列晶体材料La<SUB>3</SUB>Ga<SUB>5－x</SUB>Al<SUB>x</SUB>SiO<SUB>14</SUB>，Sr<SUB>3</SUB>Ga<SUB>2</SUB>Ge<SUB>4</SUB>O<SUB>14</SUB>，Na<SUB>2</SUB>CaGe<SUB>6</SUB>O<SUB>14</SUB>，Ca<SUB>3</SUB>Ga<SUB>2</SUB>Ge<SUB>4</SUB>O<SUB>14</SUB>，La<SUB>3</SUB>Ga<SUB>5.5</SUB>Nb<SUB>0.5</SUB>O<SUB>14</SUB>，La<SUB>3</SUB>Ga<SUB>5.5</SUB>Ta<SUB>0.5</SUB>O<SUB>14</SUB>按照一定的设计切型和设计晶轴取向制成的一种晶体电光Q开关器件，用于Ho:YAG脉冲激光器及其它近红外和可见脉冲激光器作电光调Q使用。它解决了现有技术存在的半波电压高，消光比低，电场偏压影响晶体的旋光性，Q开关器件的消光比受晶体生长应力影响大，对晶体质量要求苛刻等缺点。本发明的晶体电光Q开关器件具有半波电压低，消光比高，基本上消除电场偏压对晶体旋光性的影响，使晶体生长应力的影响降低，稳定性好，降低制作成本等优点。 |
