| 发明名称 |
Memory with Serial Burst Input of Twice the Number of Bits which can be written in Parallel to Memory on Common Data Lines |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2403575(A) |
申请公布日期 |
2005.01.05 |
| 申请号 |
GB20040012446 |
申请日期 |
2004.06.03 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS COMPANY LIMITED |
发明人 |
YUN-SANG * LEE;JUNG-BAE * LEE;ONE-GYUN * LA;SUNG-RYUL * KIM |
| 分类号 |
G11C11/407;G11C5/00;G11C7/10;G11C11/409;G11C11/4093;H03M9/00;(IPC1-7):G11C7/10 |
主分类号 |
G11C11/407 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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