| 发明名称 | 制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 引入氧化铝保护层制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法，在半导体衬底材料上沉积稀土氧化物薄膜作为高介电栅介质材料，然后原位沉积氧化铝保护层，稀土氧化物薄膜材料：氧化钇(Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>)，氧化镧(La<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>)，和镧系的其它氧化物如Pr<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、CeO<SUB>2</SUB>、Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Er<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>。 | ||
| 申请公布号 | CN1560905A | 申请公布日期 | 2005.01.05 |
| 申请号 | CN200410014067.7 | 申请日期 | 2004.02.16 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 李爱东;邵起越;程进波;吴迪;刘治国;闵乃本 |
| 分类号 | H01L21/283;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L21/283 |
| 代理机构 | 南京苏高专利事务所 | 代理人 | 成立珍 |
| 主权项 | 1、引入氧化铝保护层制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法，其特征是在半导体衬底材料上沉积稀土氧化物薄膜(4)作为高介电栅介质材料，然后原位沉积氧化铝保护层(2)。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号(材料系) | ||