发明名称 |
在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种在硅衬底上垂直定向生长ZnO纳米线的复合半导体基板材料及其制备方法。该半导体基板材料,包括衬底及其表面涂层,衬底采用硅(111)片,表面涂层是以高分子配位体形成的碳骨架为缠绕网络,并在其上生长有ZnO晶体。本发明的半导体基板材料的制备方法为:将高分子配位体溶液与锌盐溶液以一定的体积比混合,搅拌均匀后,在一定的温度下发生络合反应,形成配位络合物,将该络合物涂膜在硅(111)片上,在氧气气氛下,在300~600℃温度下加热氧化0.25~6小时,自然降温后即可制得所需产品。本发明的生长温度低、设备简单、成本低、操作条件易控制且便于规模生产,而产品性能佳。 |
申请公布号 |
CN1560903A |
申请公布日期 |
2005.01.05 |
申请号 |
CN200410016840.3 |
申请日期 |
2004.03.10 |
申请人 |
上海大学 |
发明人 |
桑文斌;贺英;王均安;吴若峰;钱永彪 |
分类号 |
H01L21/20;H01L21/00;H01L33/00;H01S5/00;B82B3/00 |
主分类号 |
H01L21/20 |
代理机构 |
上海上大专利事务所 |
代理人 |
何文欣 |
主权项 |
1.一种在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料,包括衬底,其特征在于,该衬底采用硅(111)片,该衬底表面生长有ZnO晶体。 |
地址 |
200072上海市闸北区延长路149号 |