发明名称 |
半导体激光元件及使用它的激光模块 |
摘要 |
本发明提供半导体激光元件,其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式,具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构,且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡,是其振荡频谱为多模式的Fabry-Perot型半导体激光元件,设每1层阱层的光限制系数为Γ、1层阱层的厚度为d(nm)时,则Γ与d之间满足下式:Γ/d≤1.3×10<SUP>-3</SUP>nm<SUP>-1</SUP>的关系。 |
申请公布号 |
CN1561567A |
申请公布日期 |
2005.01.05 |
申请号 |
CN02819066.1 |
申请日期 |
2002.09.25 |
申请人 |
三井化学株式会社;古河电气工业株式会社 |
发明人 |
大久保敦;冈田知;藤本毅;小矶武;室清文;大久保典雄;大木泰 |
分类号 |
H01S5/343 |
主分类号 |
H01S5/343 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
包于俊 |
主权项 |
1.一种半导体激光元件,具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构,且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡,是其振荡频谱为多模式的Fabry-Perot型半导体激光元件,其特征在于,设每1层阱层的光限制系数为Γ、1层阱层的厚度为d(nm)时,则Γ与d之间满足下式 Γ/d≤1.3×10-3nm-1 的关系。 |
地址 |
日本东京 |