发明名称 半导体激光元件及使用它的激光模块
摘要 本发明提供半导体激光元件,其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式,具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构,且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡,是其振荡频谱为多模式的Fabry-Perot型半导体激光元件,设每1层阱层的光限制系数为Γ、1层阱层的厚度为d(nm)时,则Γ与d之间满足下式:Γ/d≤1.3×10<SUP>-3</SUP>nm<SUP>-1</SUP>的关系。
申请公布号 CN1561567A 申请公布日期 2005.01.05
申请号 CN02819066.1 申请日期 2002.09.25
申请人 三井化学株式会社;古河电气工业株式会社 发明人 大久保敦;冈田知;藤本毅;小矶武;室清文;大久保典雄;大木泰
分类号 H01S5/343 主分类号 H01S5/343
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 包于俊
主权项 1.一种半导体激光元件,具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构,且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡,是其振荡频谱为多模式的Fabry-Perot型半导体激光元件,其特征在于,设每1层阱层的光限制系数为Γ、1层阱层的厚度为d(nm)时,则Γ与d之间满足下式 Γ/d≤1.3×10-3nm-1 的关系。
地址 日本东京