有源矩阵显示器

摘要

一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在衬底上形成一半导体膜；形成电连接于所述半导体膜的一布线；并且形成电连接于所述布线的一像素电极，其中，所述的布线在其上包括：由铬组成的第一层，以及由铝组成的第二层，其中，所述第一层和所述第二层靠溅射连续地予以形成，其中，所述第一层与所述半导体膜接触，并且所述像素电极与所述第一层接触。