| 发明名称 | 可压力接触的功率半导体模块 | ||
| 摘要 | 一种可压力接触的功率半导体模块，包括基板(1)和盖板(2)。所述的功率半导体模块包括，至少一个半导体器件(3)，其具有第一主端子(31)和与基板(1)导电地连接的第二主端子(32)，还包括至少一个弹性元件(4)，其设置在所述第一主端子(31)和所述盖板(2)之间。第一主端子(31)和盖板(2)之间通过所述弹性元件的内部区域引导一导电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1561543A | 申请公布日期 | 2005.01.05 |
| 申请号 | CN02817647.2 | 申请日期 | 2002.09.09 |
| 申请人 | ABB瑞士有限公司 | 发明人 | D·施奈德;D·特吕泽尔 |
| 分类号 | H01L23/48 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京 |
| 主权项 | 1、一种可压力接触的功率半导体模块，包括一基板(1)，一盖板(2)，至少一个半导体器件(3)，其具有第一主端子(31)和第二主端子(32)，该第二主端子与所述基板(1)导电连接，至少一个弹性元件(4)，其设置在所述第一主端子(31)和所述盖板(2)之间，其特征在于第一主端子(31)和盖板(2)之间的一导电连接件延伸通过所述弹性元件(4)的内部区域。 | ||
| 地址 | 瑞士巴登 | ||