存储元件装置及其制造方法

摘要

在存储单元装置中，在单元阵列(Z1)中，在第一导线(11)和第二导线(12)之间布置了磁致电阻存储元件(13)。在外围(P1)中安排了一个第一金属化平面(14)，一个第二金属化平面(15)和接点(16)，这些接点(16)将第一金属化平面(14)与第二金属化平面(15)连接。第一导线(11)和第一金属化平面(14)，以及第二导线(12)和接点(16)分别布置在同一个平面中，使得它们是通过各自一个导电层的结构化可制造的。

主权项

1.一种存储元件装置，其特征在于包括：具有第一磁致电阻存储元件(13，24)的存储元件阵列(Z，Z1，Z2)，其中，所述第一磁致电阻存储元件(13，24)网格状地设置在一个第一平面内，并设置在一个第一导线(11，21)和一个第二导线(12，25)之间，所述第一导线(11，21)和所述第二导线(12，25)用于启动在其中设置的存储元件(13，24)；一个用于设置所述存储元件阵列(Z，Z1，Z2)的外围区(P，P1，P2)，其中，所述外围区(P，P1，P2)具有一个第一金属化平面层(14，22)和一个第二金属化平面层(15，211)，用于所述存储元件阵列(Z，Z1，Z2)的垂直接触，设置在所述外围区(P，P1，P2)中的触点(16，26)，通过所述触点(16，26)在所述第一金属化平面层(14，22)和所述第二金属化平面层(15，211)之间局部地形成电连接，其中，所述第一导线(11，21)和所述第一金属化平面层(14，22)在一个同一第一平面内相互接触地设置，所述第二导线(12，25)和所述触点(16，26)设置在一个同一第二平面内。