低口径化学机械研磨系统

摘要

本发明提供一种化学机械研磨(CMP)系统(200)。一承载体(206)具有一顶面及一底部区域。所述顶面被设计成固定并旋转一晶片(202)，晶片具有待制备的一或多个已形成的层。还包括一制备头(208)，其被设计成可应用到小于晶片表面整个部分的晶片(202)的至少一部分上。较理想的情况是，该制备头(208)与承载体(206)被构型成沿相反方向旋转。此外，制备头(208)还被构型成在从晶片(202)的中心到晶片(202)边缘以及从晶片(202)的边缘到晶片(202)的中心中的一个方向进行直线移动的同时进行摆动。还包括一用于支持晶片顶面的支持头(212)以及一调整头(210)。

主权项

1.一种化学机械研磨系统，包括：一承载体，其具有一顶面及一底部区域，顶面被构型成可固定并旋转一晶片，该晶片具有待制备的一或多个形成的层；以及一制备头，其被构型成在晶片的中心与晶片的边缘之间直线移动的同时以程序控制的速率摆动，并被应用到所述晶片的顶表面上，使得所述制备头的小于整个部分的一部分重叠在所述晶片顶表面的小于整个部分的一部分上。