发明名称 | 带温度及工艺补偿功能的环形振荡器 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种环形振荡器,尤其是一种具有温度及工艺补偿功能的环形振荡器。在环形振荡器的各环形振荡级中,已经对部分MOS进行工艺补偿,然而仍有一部分MOS未有补偿,因此在环形振荡级的前面增加对应的MOS管源极跟随器以实现对环形振荡级的工艺补偿。同时通过调节基准电压源,以此来补偿因加入MOS管源极跟随器后而引起的环形振荡级输出振荡频率的温度变化特性。通过以上设置,使得环形振荡器可以在一定的工艺变化、温度变化及电压变化范围内实现输出振荡频率的稳定性。 | ||
申请公布号 | CN2669476Y | 申请公布日期 | 2005.01.05 |
申请号 | CN200320108005.3 | 申请日期 | 2003.11.13 |
申请人 | 上海华虹集成电路有限责任公司 | 发明人 | 袁迪 |
分类号 | H03B5/04;H03B28/00 | 主分类号 | H03B5/04 |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
主权项 | 1.一种带温度和工艺补偿功能的环形振荡器,包括至少一个环振级、电压跟随器及源极跟随器,其特征在于:在环振的第一级前另设一MOS管源极跟随器,从而实现对各环振级中的未补偿的MOS管进行工艺补偿,使得在一定的工艺变化范围内环振的输出频率保持稳定。 | ||
地址 | 200233上海市张江碧波路572弄39号 |