| 发明名称 | 光电导薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件 | ||
| 摘要 | 一种形成在基片上且至少含有氢和硅晶粒的光电导薄膜，用恒定光电流方法测量时，光电导薄膜的Urbach能Eu为60meV或以下。该薄膜作为光电导薄膜，没有光退化，有很好的光电导率，提供的光生伏打器件有很好的温度特性和长期稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN1560927A | 申请公布日期 | 2005.01.05 |
| 申请号 | CN200410061799.1 | 申请日期 | 1999.02.15 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 狩谷俊光 |
| 分类号 | H01L31/02;H01L31/0236;H01L31/04;H01L31/075 | 主分类号 | H01L31/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种形成在基片上且至少含有氢和硅晶粒的光电导薄膜，其中：用恒定光电流方法测量时，光电导薄膜的Urbach能Eu为60meV或以下，归于Si-H键的氢含量C1原子数％和归于Si-H2键的氢含量C2原子数％有C1/C2≥0.8且3≤C1+C2≤8原子数％的关系。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||