高电流离子植入机的监控芯片与用其监控充电现象的方法

摘要

本发明涉及一种监控高电流离子植入机的充电现象的方法，包括：放置所述监控芯片于所述高电流离子植入机台的一离子植入室中，其中所述监控芯片系由一半导体基底、一氧化层作为隔离层与一多晶硅层作为充电层组成。对所述监控芯片进行一既定条件的离子植入。将所述监控芯片进行回火。测量所述监控芯片上一既定多个位置的阻值。以及，判断所述监控芯片的平均阻值与标准差是否超过一既定标准范围。

主权项

1.一种高电流离子植入机的监控芯片，其特征在于，所述监控芯片包括：一半导体基底；一隔离层，位于所述的半导体基底上；以及一充电层，位于所述的隔离层上，其中，当一高能电子导入所述监控芯片时，所述高能电子停滞于所述充电层中。