发明名称 |
绝缘体上硅高压器件结构 |
摘要 |
一种薄层SOI高压器件(100),其中利用三维MOS电容器结构(10)来使漂移电荷耗尽。高压半导体器件的漂移区掺杂有从源-至-漏增加的梯度电荷分布轮廓。物理地构图漂移区以便制造各个SOI条纹(16a,16b)的条纹几何图形。由介电层(22a,22b)分别纵向界定每个SOI条纹(16a和16b),其中通过与衬底(12)电短路的导电的多电容器场板层(30)的场板纵向界定每个介电层(22a和22b)。获得的结构是由MOS场板完全封闭的薄漂移区条纹,当在SOI条纹(16a和16b)和它的封闭场板之间施加偏压时获得了三维耗尽。 |
申请公布号 |
CN1561548A |
申请公布日期 |
2005.01.05 |
申请号 |
CN02819318.0 |
申请日期 |
2002.09.11 |
申请人 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
发明人 |
T·J·莱塔维;M·R·辛普森 |
分类号 |
H01L29/786;H01L29/41;H01L29/08;H01L29/06;H01L29/78;H01L27/12 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张雪梅;梁永 |
主权项 |
1.一种薄层绝缘体上硅(SOI)器件,包括:半导体衬底(12);形成在该衬底上的三维金属氧化物半导体(MOS)多电容器结构(10),其中MOS(10)形成由薄的条纹化的几何图形、绝缘体上硅(SOI)条纹(116a、116b、116c和116d)构图的漂移区,并且每个SOI条纹包括在该半导体衬底(12)上设置的相应的介电层(122a、122b、122c和122d);以及重叠在相应的介电层之上并在相邻介电层之间的导电场板层(130)。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |