| 发明名称 | 磁阻存储器用电流驱动装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于MRAM的电流驱动装置，其中字线和位线驱动器(T2，T1)由n沟道场效应晶体管(N0，N6)与一电流源(J0，J3)串联组成。 | ||
| 申请公布号 | CN1183544C | 申请公布日期 | 2005.01.05 |
| 申请号 | CN01122142.9 | 申请日期 | 2001.07.03 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | T·贝姆;D·戈格尔;G·米勒;T·雷尔 |
| 分类号 | G11C7/12;G11C8/08;G11C11/15 | 主分类号 | G11C7/12 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种用于MRAM的电流驱动装置，所述电流驱动装置由一个存储单元区和分配给字线(WL)和位线(BL)的驱动器(T1，T2)构成，其中，所述存储单元区在字线(WL)和位线(BL)相交处具有大量的MRAM存储单元，所述驱动器(T1，T2)分别设置在字线(WL)或位线(BL)的第一端，其特征在于，-驱动器(T1，T2)分别由一个n沟道场效应晶体管(N0，N6)和一个与它串联的电流源(J0，J3)组成，-在与字线(WL)和位线(BL)的第一端对置的另一第二端，另一个n沟道场效应晶体管(N5，N7)与电压源(E1，E0)的串联电路处在这个另一第二端和地之间。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||