Method for forming a passivation layer for air gap formation
摘要
申请公布号
US6838354(B2)
申请公布日期
2005.01.04
申请号
US20020327403
申请日期
2002.12.20
申请人
FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
发明人
GOLDBERG CINDY K;FILIPIAK STANLEY MICHAEL;FLAKE JOHN C;LII YEONG-JYH T;SMITH BRADLEY P;SOLOMENTSEV YURI E;SPARKS TERRY G;STROZEWSKI KIRK J;YU KATHLEEN C
