| 摘要 |
本发明提供内部具有低杂质浓度的一高纯度氧化矽坩埚，及其制造方法。其中至少包含在离内表面1mm深度的每个Na及Li含量是小于0.05ppm的该坩埚，是利用一高纯度氧化矽玻璃坩埚的制造方法，当利用电弧电浆加热在一中空旋转模内表面之氧化矽原料粉末制造氧化矽坩埚时，其中增加熔融氧化矽粉末层的纯度是利用施加一电压在一模子与一电弧电极间以移出包含在熔融氧化矽玻璃层的杂质金属到外部。该方法包括，在一电弧熔融期间，保持一电弧电极电位在±500V内，施加从–1000V至–20000V的电压到一与地绝缘的模子，及施加一高电压到外部未熔融的氧化矽粉末层。 |
