| 摘要 |
本发明系于具有非挥发性记忆体之半导体装置提升电性特性，其中该非挥发性记忆体采用分裂闸型记忆胞构造，并使用氮化膜作为电荷储存层。于半导体基板1Sub主面上形成n型半导体区域6之后，于其上形成分裂闸型记忆胞之记忆闸极MG及电荷储存层CSL。其次，于该记忆闸极MG侧面形成侧壁8之后，于半导体基板1 Sub主面上形成光阻图案PR2。其后，将光阻图案PR2作为蚀刻掩模，藉由蚀刻除去半导体基板1 Sub主面之一部分，形成凹处13。于此凹处13形成区域，除去上述n型半导体区域6。其后，于该凹处13形成区域，形成记忆胞选择用nMIS之通道形成用p型半导体区域。 |
