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发明名称
薄膜电晶体之制作方法
摘要
一种薄膜电晶体之制作方法,系包括有在一基板上形成一闸电极,在闸电极上形成一闸绝缘层,在闸绝缘层上形成一非晶矽层,在一对应至闸电极的工作区域内,结晶化非晶矽层,藉以形成一多晶矽层,利用非晶矽的蚀刻率大于多晶矽的蚀刻率,对非晶矽层进行蚀刻,从而在工作区域内形成一多晶矽的半导体层,以及在半导体层上分别形成一源电极与一汲电极。
申请公布号
TW200501426
申请公布日期
2005.01.01
申请号
TW093113957
申请日期
2004.05.18
申请人
LG飞利浦股份有限公司
发明人
俞载成
分类号
H01L29/786
主分类号
H01L29/786
代理机构
代理人
许世正
主权项
地址
韩国
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