发明名称 薄膜电晶体之制作方法
摘要 一种薄膜电晶体之制作方法,系包括有在一基板上形成一闸电极,在闸电极上形成一闸绝缘层,在闸绝缘层上形成一非晶矽层,在一对应至闸电极的工作区域内,结晶化非晶矽层,藉以形成一多晶矽层,利用非晶矽的蚀刻率大于多晶矽的蚀刻率,对非晶矽层进行蚀刻,从而在工作区域内形成一多晶矽的半导体层,以及在半导体层上分别形成一源电极与一汲电极。
申请公布号 TW200501426 申请公布日期 2005.01.01
申请号 TW093113957 申请日期 2004.05.18
申请人 LG飞利浦股份有限公司 发明人 俞载成
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 许世正
主权项
地址 韩国