P型半导体元件、P型金氧半导场效电晶体及双闸极氧化物层之方法

摘要

一种半导体装置的形成方法，特别适用于制造P型半导体元件。首先将一具有N型井区之半导体基底进行氯处理与氧化制程，以形成含氯之闸极氧化物层。接着于闸极氧化物层表面覆盖一闸极材料。其次，定义该闸极材料与该闸极氧化物层形成一闸极结构。最后，于该闸极结构两侧之半导底基底上进行掺杂，以形成源极／汲极区。